Número do Produto do Fabricante:
IPS09N03LA G
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPS09N03LA G-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 50A TO251-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 50A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO251-3-11
Inventário:
12822937
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IPS09N03LA G Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 20µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1642 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO251-3-11
Pacote / Estojo
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número do produto base
IPS09N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPS09N03LA G-DG
IPS09N03LAG
IPS09N03LAGX
SP000015131
Pacote padrão
1,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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